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                          IGBT頂尖高手魔都論劍 芯片工藝仍是關鍵

                          發布日期:2015-11-04 | 公司新聞

                                11月3日,在備受矚目的“上海工博會”隆重開幕之際,中國IGBT技術創新與產業聯盟第一屆學術論壇也在魔都順利舉辦,工信部及集成電路產業大基金領導,業內頂級專家及聯盟理事單位的技術人員共200多位代表共襄盛舉。本次論壇邀請了10位國內外技術專家,從IGBT材料、芯片、封測、應用等技術研究角度進行專題報告,充分展示聯盟IGBT技術成果,分析市場需求,推動產業可持續發展。

                          工信部電子信息司集成電路處龍寒冰副處長代表政府主管部門對論壇召開表示祝賀,他認為,五中全會強調提高經濟發展的質量效益和創新驅動,目前我國也面臨節能減排以及“保增長,穩增長”的壓力,同時,“中國制造2025”將是今后一段時間的重要戰略目標,在以上各個方面,都越來越依賴于新型電力電子器件技術和產業的發展,尤其是IGBT的發展目前面臨歷史最好機遇,聯盟必將發揮更大作用。

                          原工信部電子信息司司長、聯盟名譽理事長、國家集成電路產業投資基金股份有限公司總經理丁文武也在講話中提出:面對當前向好形勢,IGBT產業亟需“上規模、上水平”,完善產業鏈,同時要用好國家的政策,而聯盟作為平臺,要傳遞業界聲音,發揮更大才智。

                          當然,作為國內IGBT業界頂尖水平的學術論壇,主角肯定是10位技術專家,國內主流IGBT廠家及典型用戶廠家均派出了自家的“技術掌門人”,演講內容涵蓋了IGBT材料、芯片、封測以及應用。尤其是國網智能電網研究院總經理湯廣福博士和中國一汽技術中心電機開發室主任趙慧超代表用戶單位做專題報告后,給與會IGBT廠商極大的信心鼓舞。

                          嘉興斯達半導體股份有限公司總經理沈華博士也發表了題為“高可靠性IGBT在新能源領域中的應用”的報告,特別強調了高可靠性的重要性,并簡要介紹了斯達針對太陽能、風能以及電動車領域的特殊需求而開發的系列產品特點。尤其是沈博士提出我國IGBT技術及產業發展的關鍵是芯片銅工藝技術時,與會領導和專家均表示認同,沈博士認為,“IGBT芯片銅工藝是決定我國是否能在今后5-10年內趕上國際最先進IGBT技術的關鍵”,并表示愿與國內同行共同努力,提升IGBT產品的可靠性,滿足越來越多的高端需求以及對產品的嚴苛要求。

                          聯盟秘書長肖向鋒先生在總結發言中對本次論壇給予了很高評價:“信息量巨大,內容豐富,演講精彩”。肖秘書長認為,目前我國IGBT產業的兩種發展模式(IDM模式和虛擬IDM模式)均有各自優勢,聯盟將搭好平臺,為整合全產業鏈發揮更大作用。并表示,中國IGBT技術創新與產業聯盟自成立以來,不斷推進自身建設,聯盟宣傳平臺、會員發展與交流等工作穩步推進,國家、部委政策信息上傳下達,聯盟知名度和影響力不斷提升。 相信在各成員的共同努力下,聯盟會為我國電力電子技術及產業可持續發展做出更大貢獻。

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